全國服務熱線：
15837998187
about us關于炬星
單晶薄膜碳化硅片高溫燒結電爐
作者： 發(fā)布時間：2023-05-15 瀏覽次數：9130
碳化硅外延片是指在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片。 SiC器件是指以碳化硅為原材料制成的器件，按照電阻性能的不同分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅基射頻器件。SiC器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應用領域有著不可替代的優(yōu)勢，彌補了傳統(tǒng)半導體材料器件在實際應用中的缺陷，正逐漸成為功率半導體的主流。
本文是【http://www.shugongchang.com.cn 洛陽炬星窯爐有限公司】原創(chuàng)，轉載時請務必以鏈接形式注明作者和出處
地 址：http://www.shugongchang.com.cn/home-aboutinfo-id-122.html
友情鏈接：
